| 发明名称 | 使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。 | ||
| 申请公布号 | CN100419963C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN02816119.X | 申请日期 | 2002.08.15 |
| 申请人 | ACM研究公司 | 发明人 | 姚向宇;张如皋;易培豪;王晖 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01);H01L21/461(2006.01);H01L21/4763(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1. 一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体晶片上形成介质层，其中所述介质层包括凹槽区和非凹槽区；在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区；平面化所述导电层的表面，以减少所述导电层的表面形貌的变化；以及在平面化所述导电层的表面之后，电解抛光所述导电层，以暴露出非凹槽区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||