| 发明名称 | 存储元件和存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的存储层的磁化方向的改变来将信息记录在存储层上。存储层受到的有效去磁场的等级小于存储元件的饱和磁化等级。 | ||
| 申请公布号 | CN101266831A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810084068.7 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 山根一阳;细见政功;大森广之;山元哲也;肥后丰;大石雄纪;鹿野博司 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01F10/32(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种存储元件，包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态保持信息；以及磁化固定层，通过由绝缘材料制成的中间层形成在所述存储层上，其中，利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的所述存储层的磁化方向的改变，将所述信息记录在所述存储层上，以及其中，所述存储层受到的有效去磁场的等级小于所述存储层的饱和磁化等级。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||