在具有混合晶向的衬底中的高可制造的SRAM单元

摘要

本发明涉及一种半导体器件结构，其包括形成在衬底中的至少一个SRAM单元。这种SRAM单元包括两个上拉晶体管、两个下拉晶体管和两个传输栅晶体管。下拉晶体管和传输栅晶体管具有基本上相似的沟道宽度且具有基本上相似的源－漏掺杂浓度，并且SRAM单元具有至少1.5的β比率。衬底优选包括具有两个隔离的区域组的混合衬底，并且在这两组区域中的载流子迁移率相差至少约1.5的系数。更优选地，SRAM单元的下拉晶体管形成在一组区域中，而传输栅晶体管形成在另一组区域中，从而下拉晶体管中的电流大于传输栅晶体管中的电流。

主权项

1.一种半导体器件结构，其包括位于衬底中的至少一个SRAM单元，其中所述至少一个SRAM单元包括至少两个上拉晶体管、两个下拉晶体管和两个传输栅晶体管，其中所述下拉晶体管和所述传输栅晶体管具有基本上相似的沟道宽度且具有基本上相似的源-漏掺杂浓度，并且其中所述至少一个SRAM单元具有至少约1.5的β比率。