降低可控硅平均驱动电流的控制装置及其控制方法

摘要

本发明是一种降低可控硅平均驱动电流的控制装置及其控制方法。本发明包括有高压电输入模块(1)、直流电生成模块(2)、微处理器IC模块(3)、电源过零采集模块(4)和可控硅控制模块(5)，本发明由于采用微处理器IC模块根据电源过零采集模块产生的电源过零信号向可控硅控制模块输出可控硅驱动信号，并控制可控硅控制模块输出可控硅驱动信号的导通时间，在导通时间内，实现可控硅的持续导通，在导通时间外，微处理器IC模块控制可控硅控制模块关闭可控硅驱动信号，从而降低平均驱动电流，有效的节约了成本，提高了经济效益。本发明的控制装置平均驱动电流小，且可降低电路系统成本。本发明的控制方法控制简单，方便实用。

主权项

1、一种降低可控硅平均驱动电流的控制装置，包括有高压电输入模块(1)、直流电生成模块(2)、微处理器IC模块(3)、电源过零采集模块(4)和可控硅控制模块(5)，其中高压电输入模块(1)的输出端分别与直流电生成模块(2)的输入端连接及与电源过零采集模块(4)连接，直流电生成模块(2)的输出端分别与微处理器IC模块(3)连接、与电源过零采集模块(4)连接及与可控硅控制模块(5)连接，电源过零采集模块(4)的输出端与微处理器IC模块(3)的输入端连接，微处理器IC模块(3)的输出端与可控硅控制模块(5)的输入端连接，微处理器IC模块(3)根据电源过零采集模块(4)产生的电源过零信号Utp2向可控硅控制模块(5)输出可控硅驱动信号Utp3，其特征在于微处理器IC模块(3)向可控硅控制模块(5)输出可控硅驱动信号Utp3的导通时间为ΔT0，ΔT0的范围为：当电源电压频率为50Hz时，ΔT0控制在0.5ms～10ms之间；当电源电压频率为60Hz时，ΔT0控制在0.5ms～8ms之间。