| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使在从外部受到局部施加的压力时也不容易损坏的半导体装置及其制造方法。另外，本发明还提供高成品率地制造即使受到来自外部的局部推压也不损坏的可靠性高的半导体装置的方法。在包括使用单晶半导体区域所形成的半导体元件的元件衬底上，设置将有机树脂浸渗在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中而构成的结构体，并且进行加热和压接，从而制造固定有将有机树脂浸渗在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中而构成的结构体、以及元件衬底的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101266954A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810086421.5 | 申请日期 | 2008.03.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 杉山荣二;道前芳隆;大谷久;鹤目卓也 |
| 分类号 | H01L23/28(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L23/29(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);G06K19/077(2006.01) | 主分类号 | H01L23/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体元件；以及包括纤维体和有机树脂且其厚度为10μm以上且100μm以下的密封层，所述纤维体浸渗有所述有机树脂，其中，所述密封层至少固定在所述半导体元件的一个表面上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||