| 发明名称 | 使用非对称导电隔离体的半导体制造工艺 | ||
| 摘要 | 一种半导体工艺和所得到的晶体管包括在栅电极(116)的任一侧上形成导电延伸部隔离体(146，150)。对导电延伸部(146，150)和栅电极(116)独立地进行掺杂，使得每一个结构可以是n型或者p型。从侧面对源/漏区(156)进行注入，设置在隔离体(146，150)的任一侧上。可以对隔离体(146，150)独立地进行掺杂：使用第一倾斜注入(132)掺杂第一延伸部隔离体(146)，使用第二倾斜注入(140)对第二隔离体(150)掺杂。在一个实施例中，掺杂不同的延伸部隔离体(146，150)的使用消除了对阈值调整沟道注入的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN100419974C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200480011412.X | 申请日期 | 2004.04.30 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 里奥·马修;姆拉利德哈·拉玛钱德兰;詹姆斯·W.·米勒 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/4763(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L29/76(2006.01);H01L29/94(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1. 一种形成晶体管的方法，包括：在半导体衬底上的栅极电介质上形成栅电极；与所述栅电极的第一和第二侧壁分别相邻地形成导电的第一和第二延伸部隔离体，在每一个延伸部隔离体及其相应的栅电极侧壁之间设有电介质；使用第一掺杂剂对第一延伸部隔离体掺杂，使用第二掺杂剂对第二延伸部隔离体掺杂，其中，第一和第二延伸部隔离体的极性相反；以及在衬底中形成与延伸部隔离体对准的源/漏区。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||