| 发明名称 | 芯片防静电保护电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种芯片防静电保护电路，包括一钳位二极管和－N型晶体管，钳位二极管阴极接芯片内部电路的外部信号输入端，阳极接地；N型晶体管的栅极、漏极共接在芯片内部电路的外部信号输入端，源极接地；N型晶体管的开启电压高于外部输入信号的工作电压且小于钳位二极管的反向击穿电压，而且所述N型晶体管的栅和结的击穿电压以及芯片内部电路的栅和结的击穿电压高于钳位二极管的反向击穿电压。采用该芯片防静电保护电路能大大提高防静电保护的能力。 | ||
| 申请公布号 | CN201118222Y | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200720144306.X | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;刘俊文 |
| 分类号 | H02H9/00(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H02H9/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种芯片防静电保护电路，其特征在于，包括一钳位二极管和一N型晶体管，钳位二极管阴极接芯片内部电路的外部信号输入端，阳极接地；N型晶体管的栅极、漏极共接在芯片内部电路的外部信号输入端，源极接地；N型晶体管的开启电压高于外部输入信号的工作电压且小于钳位二极管的反向击穿电压，而且所述N型晶体管的栅和结的击穿电压以及芯片内部电路的栅和结的击穿电压高于钳位二极管的反向击穿电压。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||