发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 本发明提供一种用于充分去除半导体元件产生的热的半导体器件。半导体器件(100)装配有:具有底表面(2b)和设置在底表面(2b)的相反侧上的元件安装面(2a)的基板(2);和具有安装到元件安装面(2a)上的主表面(1a)的半导体元件(1)。L为主表面(1a)的纵向上的长度,H为底表面(2b)和元件安装面(2a)之间的距离,比率H/L为0.3或更大。当半导体元件是发光元件时,元件安装面(2a)是空腔(2u),且元件(1)设置在空腔(2u)中。金属层(13)设置在空腔(2u)的表面上。 | ||
申请公布号 | CN100420048C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
申请号 | CN200480004099.7 | 申请日期 | 2004.03.08 |
申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石津定;桧垣贤次郎;石井隆;筑木保志 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
主权项 | 1. 一种半导体器件,包括:半导体元件,该半导体元件具有1mm2或更大面积的主表面,并且是具有超过1mm的长度L的发光元件;和基板,该基板具有170W/m·K或更大的热传导率和3×10-6/K到12×10-6/K的热膨胀系数,并且具有上表面和位于相反侧的底表面,所述半导体元件安装在所述上表面上,比率H/L为0.3或更大,其中L为所述半导体元件的主表面在其纵向方向上的长度,H为从所述基板的上表面上的安装半导体元件的部分到所述底表面的距离。 | ||
地址 | 日本大阪府 |