浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用

摘要

本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径50～100微米；厚度30nm-500nm。采用有机碱进行PH值调节的低浓度镍盐溶液为浸沾溶液，非晶硅薄膜表面浸沾在该溶液中，控制无电电镀镍的量。水洗去掉多余的沉淀物。在氮气的保护下，550-590℃下退火。本发明具有良好的晶体结构和高迁移率，成本低廉，适合制备平板显示器基板和面阵传感器中的多晶硅TFT。适合于大面积衬底大批量生产高质量多晶硅薄膜，是具有重要产业应用价值的技术。

主权项

1. 一种浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料，它是在透明玻璃或石英衬底上形成金属诱导多晶硅，其特征在于：所述的浸沾法金属诱导多晶硅是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径50～100微米；多晶硅薄膜的厚度在30nm-500nm。