发明名称 |
一种多角度垂直反射镜面的制造方法及产品 |
摘要 |
本发明涉及一种多角度垂直反射镜面的制造方法及产品,本发明方法其以体硅侧墙为载体,以改变刻蚀时间和钝化时间的比值为主,兼顾调节其它刻蚀条件进行深刻蚀。本发明解决了同一垂直侧壁上仅能制造单一垂直角度的反射镜面的这一国际性难题,使采用该镜面结构的微光器件结构能够在同一侧壁上实现多种光处理,可以比较容易地开发出一系列应用广泛的多功能MEMS器件,由此将极大的提高器件性能、集成度和生产效率,从而大大提高了MEMS器件的性能和应用领域。本发明新型镜面制造工艺和目前绝大多数垂直镜面的制造工艺兼容,具有很强的移植性和适应性。本发明可以广泛用于微机电系统中。 |
申请公布号 |
CN101265578A |
申请公布日期 |
2008.09.17 |
申请号 |
CN200810104014.2 |
申请日期 |
2008.04.14 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
陈庆华;吴文刚;王子千;邹积彬;闫桂珍;郝一龙;王阳元 |
分类号 |
C23F1/12(2006.01);G02B5/08(2006.01) |
主分类号 |
C23F1/12(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐宁;关畅 |
主权项 |
1、一种多角度垂直反射镜面的制造方法,其至少包括两组工艺条件:工艺条件一离子源功率:550W~650W 承片台功率:10W~20W刻蚀气体流量:70sccm~105sccm 刻蚀时间:3~9秒钝化气体流量:70sccm~105sccm 钝化时间:3~9秒刻蚀与钝化重叠时间:0.2秒~0.8秒 刻蚀/钝化时间比:1±0.2反应压力:20mTorr~30mTorr工艺条件二离子源功率:550W~650W 承片台功率:10W~20W刻蚀气体流量:70sccm~105sccm 刻蚀时间:2~8秒钝化气体流量:70sccm~105sccm 钝化时间:3~9秒刻蚀与钝化重叠时间:0.2秒~0.8秒 刻蚀/钝化时间比:0.8±0.2反应压力:20mTorr~30mTorr分别以工艺条件一刻蚀一段时间,再用工艺条件二刻蚀一段时间,即可得到垂直侧壁上的至少两个不同倾斜角度的侧壁反射镜面。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学微电子学研究所 |