发明名称 | 在非易失性存储器件中读取数据的方法 | ||
摘要 | 一种在非易失性存储器件中读取数据的方法,包括:提供多个块和多个位线,每个块具有多个存储单元,每个块耦合到至少一个位线;将第一和第二位线放电成处于低电平,第一位线耦合到第一块,第二位线耦合到第二块;将读取电压施加到与第一块中将被读取的存储单元耦合的第一字线;将通过电压施加到与第一块中将不被读取的存储单元耦合的第二字线;在将读取电压施加到第一字线并且将通过电压施加到第二字线之后,将耦合到将被读取的存储单元的第一位线预充电到高电平;对第一位线的电压电平进行估计;根据第一位线的估计电压电平,感测存储在将被读取的存储单元中的数据。 | ||
申请公布号 | CN101266838A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
申请号 | CN200710130440.9 | 申请日期 | 2007.07.19 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴成济 |
分类号 | G11C16/26(2006.01) | 主分类号 | G11C16/26(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
主权项 | 1. 一种在非易失性存储器件中读取数据的方法,所述方法包括:提供多个块和多个位线,每个块具有多个存储单元,每个块耦合到至少一个位线;将第一和第二位线放电成处于低电平,所述第一位线耦合到第一块,所述第二位线耦合到第二块;将读取电压施加到与所述第一块中将被读取的存储单元耦合的第一字线;将通过电压施加到与所述第一块中将不被读取的存储单元耦合的第二字线;在将所述读取电压施加到所述第一字线并且将所述通过电压施加到所述第二字线之后,将耦合到所述将被读取的存储单元的第一位线预充电到高电平;估计所述第一位线的电压电平;以及根据所述第一位线的估计电压电平,来感测存储在所述将被读取的存储单元中的数据。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |