发明名称 | 半导体存储器件的激活电路 | ||
摘要 | 一种激活电路,包括:电源电压电平跟随器单元,用于输出与电源电压成比例升高或降低的第一偏压以及第二偏压;第一电源电压侦测单元,用于当电源电压降低时,侦测第一临界电压电平,在该第一临界电压电平处,激活信号的逻辑电平响应所述第一偏压而被改变;第二电源电压侦测单元,用于当电源电压升高时,侦测第二临界电压电平,在该第二临界电压电平处,激活信号的逻辑电平响应所述第二偏压而被改变;以及触发器单元,用于产生输出信号,以此来响应该电源电压降低时自第一电源电压侦测单元输出的第一侦测信号,或该电源电压升高时自第二电源电压侦测单元输出的第二侦测信号,其中所述第二临界电压电平高于第一临界电压电平。 | ||
申请公布号 | CN100419911C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
申请号 | CN200410042400.5 | 申请日期 | 2004.05.28 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 都昌镐 |
分类号 | G11C11/4072(2006.01) | 主分类号 | G11C11/4072(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1. 一种用于半导体存储器件的激活电路,包括:电源电压电平跟随器单元,用于输出与电源电压成比例升高或降低的第一偏压以及第二偏压;第一电源电压侦测单元,用于当电源电压降低时,侦测第一临界电压电平,在该第一临界电压电平处,激活信号的逻辑电平响应所述第一偏压而被改变;第二电源电压侦测单元,用于当电源电压升高时,侦测第二临界电压电平,在该第二临界电压电平处,激活信号的逻辑电平响应所述第二偏压而被改变;以及触发器单元,用于产生输出信号,以此来响应该电源电压降低时自第一电源电压侦测单元输出的第一侦测信号,或该电源电压升高时自第二电源电压侦测单元输出的第二侦测信号,其中所述第二临界电压电平高于第一临界电压电平。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |