| 发明名称 | 发射辐射的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种具有一个GaN基多层结构(12)的发射辐射的薄膜半导体器件，该多层结构包括一层有源的、发射辐射的层(14)，并具有一个第一主面(16)和一个背离该第一主面的第二主面(18)，用以输出在该有源的、产生辐射的层中产生的辐射。此外，多层结构(12)的第一主面(16)与一层反射层或界面联接，且与该多层结构的第二主面(18)邻接的多层结构的区域(22)制成具有凸部(26)的一维或二维结构化。 | ||
| 申请公布号 | CN100420041C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN03818419.2 | 申请日期 | 2003.06.20 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | D·埃泽尔特;B·哈恩;V·海勒 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏娟;赵辛 |
| 主权项 | 1. 发射辐射的半导体器件，具有一个GaN基的多层结构(12)，该多层结构包括一层有源的、产生辐射的层(14)，并具有一个第一主面(16)和一个背离该第一主面的第二主面(18)，该第二主面(18)用以输出在该有源的、产生辐射的层中产生的辐射，其特征为，所述多层结构是一外延式多层结构，并且所述半导体器件无生长衬底，和多层结构(12)的第一主面(16)与一层具有至少70％的反射率的反射层或界面联接，并且与该多层结构的第二主面(18)邻接的多层结构的区域(22)制成一维或二维结构。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||