| 发明名称 | 贴合晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供不会由于贴合工序的热处理而在贴合的界面上残留局部的氧化物，且具有几nm左右的厚度均匀的氧化膜的贴合晶片的制造方法。为了解决上述问题，提供一种贴合晶片的制造方法。该方法包括：用臭氧洗涤2片硅晶片，在前述硅晶片的表面形成膜厚2.2nm以下的氧化膜，通过形成的氧化膜，贴合前述2片硅晶片，得到贴合晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN101266917A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200710195765.5 | 申请日期 | 2007.12.14 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 森本信之;远藤昭彦 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 耿小强 |
| 主权项 | 1.一种贴合晶片的制造方法，该方法包括将2片硅晶片用臭氧洗涤，在前述硅晶片的表面形成膜厚2.2nm以下的氧化膜，通过形成的氧化膜，将前述2片硅晶片贴合，得到贴合晶片。 | ||
| 地址 | 日本东京都港区 | ||