| 发明名称 | 具有铟掺杂子区域的栅隔离区的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明包括半导体结构，其中栅结构由隔离区分开，该隔离区被提供有铟掺杂的穴和覆盖栅。本发明还包括具有一对沟道区的半导体结构，该对沟道区具有用铟掺杂的子区域并被硼包围。一对晶体管结构位于沟道区上，并由隔离区分开。晶体管具有比下面的子区域更宽的栅。本发明还包括沿栅侧壁具有绝缘隔离物的晶体管结构的半导体结构。每个晶体管结构在隔离物下面延伸的一对源/漏区之间。源/漏延长部分仅在每个晶体管结构的一侧上在晶体管结构下面进一步延伸源/漏区。本发明还包括形成半导体结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100419992C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN03824632.5 | 申请日期 | 2003.08.25 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | L·C·特兰 |
| 分类号 | H01L21/765(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/765(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘红;梁永 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：由半导体材料支撑的一对栅结构；以及在该对栅结构之间的隔离区，所述隔离区包括：包括具有横向宽度的栅叠层的第三栅结构；和布置在第三栅结构下面中心的半导体材料中的铟掺杂的穴区域，铟横向延伸小于栅叠层的横向宽度。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||