发明名称 |
一种制备纯净MoSi<SUB>2</SUB>-WSi<SUB>2</SUB>复合粉末的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备纯净MoSi<SUB>2</SUB>-WSi<SUB>2</SUB>复合粉末的方法:将Mo粉、W粉和Si粉按摩尔比(1-x)∶x∶2.02~2.06均匀混合后压制成形,其中0<x<1,将压坯推入钼丝炉中,先在低温下于H<SUB>2</SUB>气氛中停留30~60min,而后迅速推入1420~1500℃的高温段,保温10~60min,然后推入冷却段冷却;将反应后的物料破碎。本发明中由于加入了比反应摩尔比多0.1~0.3%的Si,可以完全消除燃烧合成产物中的Mo<SUB>5</SUB>Si<SUB>3</SUB>和W<SUB>5</SUB>Si<SUB>3</SUB>。此外,通过在硅熔点以上的保温,又能排除反应物中过量的Si,最终可以得到纯净的MoSi<SUB>2</SUB>-WSi<SUB>2</SUB>复合粉末,且工艺简单,生产效率高。 |
申请公布号 |
CN101264522A |
申请公布日期 |
2008.09.17 |
申请号 |
CN200710034539.9 |
申请日期 |
2007.03.15 |
申请人 |
中南大学 |
发明人 |
易茂中;彭可;冉丽萍 |
分类号 |
B22F9/16(2006.01);C22C1/04(2006.01) |
主分类号 |
B22F9/16(2006.01) |
代理机构 |
中南大学专利中心 |
代理人 |
胡燕瑜 |
主权项 |
1. 一种制备纯净MoSi2-WSi2复合粉末的方法,其特征在于包含以下步骤:(1)将Mo粉、W粉和Si粉按摩尔比(1-x)∶x∶2.02~2.06均匀混合,其中0<x<1;(2)将混合粉末压制成形;(3)将压坯推入钼丝炉中,坯料先在400~600℃下于H2气氛中停留30~60min,而后迅速推入1420~1500℃的高温段,使之快速升温,保温10~60min,然后推入冷却段冷却;(4)将反应后的物料破碎。 |
地址 |
410083湖南省长沙市麓山南路1号 |