| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使在从外部局部地施加压力时也不容易损坏的半导体器件及其制造方法。另外，本发明还提供高成品率地制造对于即使受来自外部的局部推压也不损坏的可靠性高的半导体器件的方法。在包括使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层上设置在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体，并且进行加热和压合，来制造固定有在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体及元件层的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101266953A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810086420.0 | 申请日期 | 2008.03.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 杉山荣二;道前芳隆;大谷久;鹤目卓也 |
| 分类号 | H01L23/28(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L23/29(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);G06K19/077(2006.01) | 主分类号 | H01L23/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：厚度为1μm以上和10μm以下的元件层，该元件层包括非单晶半导体层，其中有源元件由该非单晶半导体层形成并且被绝缘层覆盖；以及在纤维体中浸渗有有机树脂而成的厚度为10μm以上和100μm以下的密封层，其中，所述密封层被固定在所述元件层的至少一个表面上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||