| 发明名称 | 高密度堆叠金属电容元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种高密度堆叠金属电容元件的制造方法，包括下列步骤：(a)提供一镶嵌有第一金属区块的半导体基底，该基底部分表面露出有该第一金属区块之上表面；(b)全面性地在该半导体基底上方形成第一介电层；(c)选择性地除去该第一介电层，形成露出该第一金属区块的第一开口，以界定出第二金属区块的范围；(d)在该第一开口内填入该第二金属区块，使该第一金属区块与该第二金属区块当作该金属电容元件的下电极；(e)除去剩余的第一介电层，全面性地在该金属电容元件的下电极及半导体基底的上方形成第二介电层；(f)选择性地除去该第二介电层，而形成露出该金属电容元件下电极表面的第二开口，该第二开口比第一开口大；(g)在该第二开口的底部及侧壁顺应性形成第三介电层，以当作该电容元件的电层；(h)在该第二开口内填入第三金属区块，以当作该电容元件的上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100419926C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN02103512.1 | 申请日期 | 2002.02.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李自强;王是琦;林志贤;黄崎峰 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01);H01G13/00(2006.01);H01L21/70(2006.01) | 主分类号 | H01G4/33(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1. 一种高密度堆叠金属电容元件的制造方法，其特征是：它包括下列步骤：(a)提供一镶嵌有第一金属区块的半导体基底，该基底部分表面露出有该第一金属区块的上表面；(b)全面性地在该半导体基底上方形成第一介电层；(c)选择性地除去该第一介电层，而形成露出该第一金属区块的第一开口，以界定出第二金属区块的范围；(d)在该第一开口内填入该第二金属区块，使该第一金属区块与该第二金属区块当作该金属电容元件的下电极；(e)除去剩余的第一介电层，全面性地在该金属电容元件的下电极及半导体基底的上方形成第二介电层；(f)选择性地除去该第二介电层，而形成露出该金属电容元件下电极表面的第二开口，该第二开口比第一开口大；(g)在该第二开口的底部及侧壁顺应性形成第三介电层，以当作该电容元件的介电层；(h)在该第二开口内填入第三金属区块，以当作该电容元件的上电极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||