| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置中的开口结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及半导体装置中的开口结构，特别涉及一种改善阶梯覆盖率的半导体装置中的开口结构。此开口结构包括一介电层，位于一基底上方且具有至少一介层开口，以露出基底。其中介层开口的上半部为一阶梯型部，而其下半部相对于介电层为一凹面轮廓部。本发明所述半导体装置及半导体装置中的开口结构，可改善金属阶梯覆盖率，且进一步改善装置的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN100420009C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200610058530.7 | 申请日期 | 2006.03.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 苏怡年;谢志宏;黄震麟;林俊成;谢静华;眭晓林 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置中的开口结构，其特征在于，所述半导体装置中的开口结构包括：一介电层，位于一基底上方且具有至少一介层开口，以露出该基底；其中该介层开口的上半部为一阶梯型部，而其下半部相对于该介电层为一凹面轮廓部。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||