| 发明名称 | 一种改进深沟槽DRAM钨金属位线的CMP工艺窗的方法 | ||
| 摘要 | 本发明采用新方法，通过在M0位线接触窗填充材料凹陷刻蚀阶段同时移除多晶硅层，解决了在深沟槽DRAM的内连线制作过程中，常规(M0)位线接触窗填充材料凹陷(ARC Recess)刻蚀，只考虑形成图案的形状，而在(M0)位线钨金属的化学机械研磨(CMP)之后随机产生多晶硅残留，影响钨金属研磨工艺窗的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100420001C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200510026258.X | 申请日期 | 2005.05.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 廖国彰;姜海涛;仇圣棻;廖端泉 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1. 一种改进深沟槽DRAM钨金属位线的CMP工艺窗的方法，包括形成字符线及其上的电介质层和多晶硅层；刻蚀形成位线接触窗，用于形成钨插塞；回填填充材料至接触窗中以保护接触窗底层的硅芯片；凹陷刻蚀多余填充材料同时刻蚀去除多晶硅层，以使硅芯片表面平坦化，以利于后续定义位线图案；刻蚀形成位线图案；形成一阻障层于电介质层和接触窗表面上；形成一导电层于该阻障层上，并填入接触窗中以形成导体结构；采用化学机械研磨的方法移除部分该导电层和部分阻障层以暴露电介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||