| 主权项 |
1.一光功能物质,其包括一稀土元素错合物,以构造式(I)表示:其中M表示一稀土元素,n1为2或3,n2为2,3或4,R可相同或不同且每个表示一C1-C20过卤化烷基、C2-C20过卤化烯基、C2-C20过卤化炔基、C3-C20过卤化环烷基、C3-C20过卤化环烯基、C6-C20过卤化芳基、C6-C20过卤化杂环基或过卤化芳烷基(perhalogenated aralkyl),X表示硫、磷或硒,n3为1,Y表示C-D,C-C1,C-F,C-Br,C-I,N或P;或为构造式(II)其中M表示一稀土元素,n1为2或3,n2为2,3或4,R表示C1-C20过卤化烷基、C2-C20过卤化烯基、C2-C20过卤化炔基、C3-C20过卤化环烷基、C3-C20过卤化环烯基、C6-C20卤化芳基、C6-C20过卤化杂环基或过卤化芳烷基(perhalogenated aralkyl),X表示硫、磷或硒,n3为1。2.一稀土元素错合物,以构造式(I)表示:其中M表示一稀元素,n1为2或3,n2为2,3或4,R表示一C1-C20过卤化烷基、C2-C20过卤化烯基、C2-C20过卤化炔基、C3-C20过卤化环烷基、C3-C20过卤化环烯基、C6-C20过卤化芳基、C6-C20过卤化杂环基或过卤化芳烷基(perhalogenated aralkyl),X表示硫、磷或硒,n3为1,Y表示C-D,C-C1,C-F,C-Br,C-I,N或P。3.一稀土元素错合物,以构造式(IIa)表示:其中R表示一C1-C20过卤化烷基、C2-C20过卤化烯基、C2-C20过卤化炔基、C3-C20过卤化环烷基、C3-C20过卤化环烯基、C6-C20过卤化芳基、C6-C20过卤化杂环基或过卤化芳烷基(perhalogenated aralkyl),X表示硫、磷或硒,n3为1。4.一种稀土元素错台物之光放射方法,其包括使光照射在一溶剂中之如申请专利范围第2项或第3项之稀土元素错合物的溶液,分散液或悬浮液。5.一化合物,以构造式(III)表示:其中R表示一C1-C20过卤化烷基、C2-C20过卤化烯基、C2-C20过卤化炔基、C3-C20过卤化环烷基、C3-C20过卤化环烯基、C6-C20过卤化芳基、C6-C20过卤化杂环基、过卤化芳烷基(perhalogenated aralkyl)、CF3或C4F9,X表示硫、磷或硒,n3为1,Y'为H,N或P。6.一种制造具构造式(I)之稀土元素错合物的方法:其中M表示一稀土元素,n1为2或3,n2为2,3或4,R表示一C1-C20过卤化烷基、C2-C20过卤化烯基、C2-C20过卤化炔基、C3-C20过卤化环烷基、C3-C20过卤化环烯基、C6-C20过卤化芳基、C6-C20过卤化杂环基或过卤化芳烷基(perhalogenated aralkyl),X表示硫、磷或硒,n3为1:其包括将构造式(III)的一化合物于温度为室温至100℃,时间为1至100小时的反应条件下混合于溶剂中。其中X,Y',R和n3如上述所定义;且至少有一稀土元素化合物选自一种稀土元素氧化物,稀土元素烷氧化物,稀土元素醯胺或稀土元素盐,当Y'为H,更可选择与一氘取代氢之溶剂如D2O和CD3OD。7.如申请利范围第1项所述之光功能物质,其中R表示一C1-C20过卤化烷基、C2-C20过卤化烯基或C6-C20过卤化芳基。图式简单说明:第一图(a)和(b)分别为POSNd(POS)3之13C-NMR光谱;第二图系为Nd(POS)3在CDCl3之一吸收光谱;以及第三图系为Nd(POS)3在丙酮-d6之一放射光谱。 |
