| 主权项 |
1.一种电场放射型元件之制造方法,其特征在于包含以下步骤:(a)形成一第一牺牲膜在一基板之上方表面上;(b)形成一凹处在该第一牺牲膜上;(c)形成一第二牺牲膜在该第一牺牲膜上且在该凹处中;(d)各向异性地逆蚀刻该第二牺牲膜,藉此留置,如侧间隔物,该第二牺牲膜之部分系位置在该凹处之侧壁上,且曝露该第一牺牲膜与该基板之部分;(e)形成一第一传导膜,如一闸电极在该第一牺牲膜、该侧间隔物与该基板之曝露部分上,该第一传导膜具有一位置在该第一牺牲膜上之厚部分与一位置在该基板上之薄部分;(f)逆蚀刻该第一传导膜,藉此曝露该基板在一该凹处之底部,且留置该第一传导膜在该第一牺牲膜上;(g)形成具一尖头之一第一绝缘膜在该第一传导膜上;(h)形成一第二传导膜,如一放射器电极在该第一绝缘膜上;及(i)曝露一该第一传导膜之末端部分与一该第二传导膜之一末端部分。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含以下步骤:(j)在该步骤(h)之后,固定该第二传导膜至一支撑基板。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板包括一传导层,作为一阳电极,且该步骤(i)系曝露该第一传导膜之末端部分、该第二传导膜之末端部分与该传导层一表面之步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一与第二牺牲膜系由绝缘体制成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中至少第一与第二牺牲膜之一系由一导体或一半导体制成。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一牺牲膜、该第一传导膜与该第二传导膜系由从由多结晶矽、非结晶矽、WSi、TiSi、MoSi、Al、Cu、W、Mo、Ni与TiN组成一群组选择之材质制成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一绝缘膜系藉该步骤(g)各向异性地沉积。8.如申请专利范围第1项之方法,其中一凹处系藉该步骤(f)导引之逆蚀刻形成在该基板中。9.如申请专利范围第1项之方法,其中藉该步骤(b)在该第一牺牲膜中形成之凹处扩延上至该基板。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)系藉光蚀刻术与蚀刻形成该凹处之步骤。11.如申请专利范围第1项之方法,其中具0.3m或更小直径之一装置系藉该步骤(f)导引之蚀刻形成在第一传导膜中。图式简单说明:第一图A至第一图K系根据本发明第一实例显示一电场放射型元件(2电极元件)制造步骤之剖面图;第二图A与第二图B系显示2个加强具一支撑基板之电场放射型元件方法之剖面图;第三图A至第三图H系根据本发明第二实例显示一电场放射型元件(3电极元件)制造步骤之剖面图;第四图系第三图H中说明之电场放射型元件之立体图。第五图A与第五图B系根据本发明其他实例电场放射型元件之剖面图;第六图系使用一电场放射型元件之平板显示器剖面图;第七图A至第七图E系显示一传统式电场放射型元件制造方法之剖面图;第八图A系显示藉垂直地撞击形成一闸电极层步骤之剖面图,而第八图B系显示藉倾斜地撞击形成一闸电极层步骤之剖面图;及第九图A系一电场放射型元件之剖面图,其中一短路电路已发生,而第九图B系一电场放射型元件之剖面图,其中一漏电流流动。 |
