发明名称 平板显示器中使用的薄膜晶体管所用的新颖导电材料
摘要 提供一种用于TFT显示器中导电元件的结构。该结构是基于铝的并且经过热处理。热处理后,由于存在钛层而不会形成小丘。此外,由于在铝与钛层之间存在TiN扩散层而不形成TiAl<SUB>3</SUB>。这种新颖结构具有低电阻率,因此适用于采用薄膜晶体管来驱动像素的大型显示器。
申请公布号 CN100419550C 申请公布日期 2008.09.17
申请号 CN200410039942.7 申请日期 2004.03.12
申请人 三星SDI株式会社 发明人 金泰成
分类号 G02F1/136(2006.01);H01L29/45(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 G02F1/136(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;张志醒
主权项 1. 一种平板显示器,它包括多个由薄膜晶体管驱动的子像素,每个所述薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和多晶硅半导体层,而所述子像素中每一个都包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的发光层,其中所述源极和漏极之一包括:第一钛层,与所述半导体层接触;基于铝的金属层,设在第一钛层上,该基于铝的金属层由含一种元素的铝合金制成,该元素是从由硅、钕、铂和镍构成的组中选择的;第二钛层,设在基于铝的金属层上,并与第一电极接触;第一氮化钛层,位于第一钛层与基于铝的金属层之间,该第一氮化钛层用于防止来自第一钛层的钛与来自基于铝的金属层的铝相互反应;以及第二氮化钛层,位于第二钛层与基于铝的金属层之间,该第二氮化钛层用于防止来自第二钛层的钛与来自基于铝的金属层的铝相互反应;其中两个氮化钛层都含有5-85wt%的氮。
地址 韩国京畿道水原市