| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括：在衬底上的多个象素；用于驱动所述多个象素的一个驱动器电路，包括至少一个缓存电路；在所述至少一个缓存电路中的至少两个晶体管；连接所述至少两个晶体管的一个公共栅极布线；连接所述至少两个晶体管的一个公共源极布线；所述至少两个晶体管的一个公共漏极布线；其中所述至少两个晶体管在所述公共栅极布线、公共源极布线、公共漏极布线的连接下是彼此并联的；和其中所述至少两个晶体管的沟道形成区被分别提供在至少两个分开的半导体层中。 | ||
| 申请公布号 | CN100420026C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200410069451.7 | 申请日期 | 1995.08.18 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;寺本聪 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/136(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：在绝缘表面上驱动器电路，所述驱动器电路包括缓冲电路；在所述缓冲电路中的至少两个晶体管；在所述至少两个晶体管的栅电极连接所述至少两个晶体管的一个公共栅极布线；在所述至少两个晶体管的每个晶体管的源极和漏极中一个极连接所述至少两个晶体管的一个公共源极布线；在所述至少两个晶体管的每个晶体管的源极和漏极中另一个极连接所述至少两个晶体管的一个公共漏极布线；其中所述至少两个晶体管在所述至少两个晶体管的所述公共栅极布线、公共源极布线、公共漏极布线的连接下是彼此并联的；和其中所述至少两个晶体管的沟道形成区被分别提供在至少两个分开的硅半导体层中，所述硅半导体层具有取结晶度等于单晶硅片的结晶度的晶体结构。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||