碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅半导体装置的制造方法。本发明公开了一种具有高可靠性和更长的针对栅极氧化膜的TDDB的寿命的MOS型SiC半导体装置。该半导体装置包括MOS(金属氧化物半导体)结构，MOS结构具有碳化硅(SiC)衬底、多晶硅栅电极、插入在SiC衬底与多晶硅栅电极之间的且通过热氧化SiC衬底的表面所形成的栅极氧化膜、以及与SiC衬底电接触的欧姆触点。该半导体装置还包括通过氧化多晶硅栅电极的表面所形成的多晶硅热氧化膜。栅极氧化膜的厚度为20nm或更薄，优选为15nm或更薄。

主权项

1.一种用于制造具有金属氧化物半导体即MOS结构的碳化硅即SiC半导体装置的方法，所述MOS结构包括SiC衬底、在所述SiC衬底的表面上形成的栅极氧化膜以及在所述栅极氧化膜上形成的栅电极，所述方法包括：在将所述SiC衬底维持在惰性气体气氛里的同时，将温度升高到至少预定温度；当温度升高到至少所述预定温度时，通过引入氧化气体热氧化所述SiC衬底，来形成所述栅极氧化膜；以及当所述栅极氧化膜的厚度变成预定厚度时，通过停止热氧化所述SiC衬底来降低温度，同时停止所述氧化气体的引入并重新建立所述惰性气体气氛。