半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。熔丝元件层叠在电阻体的上部，熔丝元件的利用激光切断的区域下的电阻体为凹形状，由此，提供小面积且不存在熔丝元件切断时对电阻体的损伤、各元件间所产生的接触电阻等也较小的稳定的半导体装置及其制造方法。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：具有主表面的半导体衬底；沟槽区域，形成在所述半导体衬底的主表面；覆盖所述沟槽区域内表面上以及所述半导体衬底上的绝缘层；电阻体，形成在所述绝缘层上，并且，以从所述沟槽区域内向所述半导体衬底的主表面上延伸的方式形成；第一氧化膜，以成为与所述半导体衬底的主表面相同的高度位置的方式埋入到所述沟槽区域内；熔丝元件，形成在所述第一氧化膜上，并且，以与所述电阻体重叠的方式形成；第二氧化膜，以覆盖所述熔丝元件、所述第一氧化膜以及所述电阻体的方式形成；布线层，形成在所述第二氧化膜上，通过插塞与所述电阻体以及所述熔丝元件电连接。