| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：布线板，其中形成有导孔；半导体元件，设置在布线板上；抗蚀剂层，覆盖布线板的表面，所述抗蚀剂层在位于所述导孔上的部分具有开口；以及密封树脂，覆盖所述开口中的所述导孔的表面以及所述抗蚀剂层，并密封所述半导体器件。本发明能够降低半导体器件的翘曲量，防止导孔上的密封树脂分离，并提高布线板与母板之间连接的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101266962A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810083671.3 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 深泽则雄 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01);H01L23/13(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/498(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：布线板，其中形成有导孔；半导体元件，设置在所述布线板上；抗蚀剂层，覆盖所述布线板的一个表面，所述抗蚀剂层在位于所述导孔上的部分具有开口；以及密封树脂，覆盖所述开口中的所述导孔的表面以及所述抗蚀剂层，并密封所述半导体器件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||