| 发明名称 | 具有高频互连的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，其包含高频互连以及虚拟导体图案(第二虚拟导体图案)。虚拟导体图案被设置在与设置有高频互连的互连层不同的互连层内。设置虚拟导体图案，以使得其在平面图中远离与高频互连重叠的区域。在设置有高频互连的互连层内，半导体器件进一步包含虚拟导体图案(第一虚拟导体图案)。 | ||
| 申请公布号 | CN101266964A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810083754.2 | 申请日期 | 2008.03.12 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 中柴康隆 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01) | 主分类号 | H01L23/528(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包含：高频互连，其被设置在互连层的第一层内；以及虚拟导体图案，其被设置在与所述互连层中的所述第一层不同的第二层内，其中，设置所述虚拟导体图案，以使其在平面图中远离与所述高频互连的整个部分重叠的区域。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||