用于陈化感测等离子体设备的半导体装置的方法和装置

摘要

一种等离子体设备陈化方法和被应用该陈化方法的等离子体设备。所述陈化方法包括以下步骤：在操作等离子体设备执行等离子体工艺前、测量在等离子体设备的工艺室中出现的基于硅氧化物(SiO_X)的化学物质的光发射强度与基于碳氟化物化合物(CF_Y)的化学物质的光发射强度的比；确定所测量的光发射强度比的值是否在正常状态的预定范围内；以及，当基于确定结果为使得所测量的光发射强度比的值在正常状态的预定范围内时，将待在等离子体工艺中使用的反应气体供给到工艺室时，陈化工艺室的内部以改变反应气体的成分比，并由此改变光发射强度比。

主权项

1. 一种等离子体设备陈化方法，包括以下步骤：在操作所述等离子体设备执行等离子体工艺前，测量在等离子体设备的工艺室中出现的基于硅氧化物的化学物质的光发射强度与基于碳氟化物化合物的化学物质的光发射强度的比；确定所述测量的光发射强度比的值是否在正常状态的预定范围内；以及当基于确定结果将待在所述等离子体工艺中使用的反应气体供给到所述工艺室，而使得所述测量的光发射强度比的所述值在所述正常状态的预定范围内时，陈化所述工艺室的内部以改变所述反应气体的成分比，并由此改变所述光发射强度比。