制作金属－绝缘体－金属电容的方法

摘要

本发明提供一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容，包含有一第一金属层；一第一电容介电层，设于该第一金属层上；一第二金属层，叠设于该第一电容介电层上，其中该第一金属层、该第一电容介电层及该第二金属层构成一下电容结构；一第二电容介电层，设于该第二金属层上；以及一第三金属层，叠设于该第二电容介电层上，其中该第二金属层、该第二电容介电层及该第三金属层构成一上电容结构；其中该第一金属层及该第三金属层电连接该MIM电容的第一电容端点，而该第二金属层则电连接该MIM电容的第二电容端点。

主权项

1. 一种制作金属-绝缘体-金属电容的方法，其特征是该方法包含有下列步骤：提供一基底；于该基底上依序形成一第一金属层、第一电容介电层、第二金属层、第二电容介电层、第三金属层以及顶盖层；蚀刻该顶盖层、该第三金属层、该第二电容介电层、该第二金属层以及该第一电容介电层直到暴露出该第一金属层，藉此形成一由该第三金属层、该第二电容介电层与该第二金属层所构成的上电容结构；以一光刻胶覆盖部分的该上电容结构，且该光刻胶定义出该第一金属层即将形成一下电容结构的电极板形状图案；蚀刻未被该光刻胶覆盖的该第一金属层以及该顶盖层、该第三金属层与该第二电容介电层；以及去除该光刻胶。