改进的集成电路电容器制造方法

摘要

本发明提出了一种改进的集成电路电容器(capacitor)制造方法，特别是动态随机存储器(dynamic random access memory；DRAM)中的电容器(capacitor)制造方法。在无掩膜曝光后，使用深蚀刻(Etch Back)完成单元隔离，不需要有化学机械研磨(CMP)的过程。从而避免了化学机械研磨CMP的缺点，例如费用昂贵、产生刮痕和引起单元间相通等。

主权项

1. 改进的集成电路电容器的制造方法，包括以下步骤：步骤1，在位线之间加入连接电容器到源区的拴塞，使其连接到源区；步骤2，先淀积电容器的氧化物层，然后进行光刻、腐蚀形成电容器结构；步骤3，淀积聚合体和HSG小球作为电容器的底部电极，再覆盖用于单元隔离的光阻；其特征是，还包括：步骤4，无掩膜曝光，接着光刻胶显影用以深蚀刻底部电极；步骤5，对底部电极进行深蚀刻，至蚀刻掉氧化物层上的底部电极即停止；步骤6，剥离光刻胶并用去离子水清洗；步骤7，淀积介电材料形成顶部电极。