| 主权项 |
1.一种制造单面涂被及精密加工半导体晶圆之方法,其中a)将半导体晶圆加以首次处理(双面精密加工),使该半导体晶圆同时获得双面精密加工;b)该半导体晶圆之单面上形成至少一层涂层;及c)将该半导体晶圆加以二次处理,产生一双面精密加工。2.如申请专利范围第1项之方法,其中依照步骤a)及步骤c)之半导体晶圆处理系选自一组处理方法,其中包括双面抛光及双面精细研磨。3.如申请专利范围第1项之方法,其中依照步骤b)之涂被工作,其实施所依照之方法系选自一组方法,其中包括:于半导体晶圆之一个面上沉积一层,及藉助于半导体晶圆单面表面之化学或物理转形生成一层。4.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中步骤a)之半导体晶圆系施以对称双面抛光及步骤c)内之半导体晶圆系施以非对称双面抛光。 |
