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发明名称 METHODS OF FORMING A PHOSPHORUS DOPED SILICON DIOXIDE LAYER
摘要
申请公布号 EP1641958(B1) 申请公布日期 2008.09.17
申请号 EP20040777377 申请日期 2004.06.30
申请人 US 发明人 US
分类号 C23C16/455;C23C16/40;C23C16/04;C23C16/44;H01L21/316;H01L21/762 主分类号 C23C16/455
代理机构 代理人
主权项
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