| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。 | ||
| 申请公布号 | CN101268562A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200680034699.7 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 织地学;龟井宏二;三木久幸;松濑朗浩 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种III族氮化物半导体发光器件，包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的III族氮化物半导体层，其中所述III族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||