发明名称 |
半导体装置封装结构及方法 |
摘要 |
本发明提供一半导体装置封装结构与形成方法;其中该结构至少包含一基材,该基材有数个填充传导金属的贯通开口,用以进行电性连接或散热,一包含焊垫的芯片,藉具高热传导性黏胶贴合于传导焊垫,一导线连接传导焊垫与芯片焊垫,一保护层藉造模或散布法覆盖于芯片、导线与部份焊垫上,一锡球则设置于焊垫上。本发明优点为:结构缩减;结构散热性变佳;该半导体装置结构并可形成半导体装置封装结构的堆栈结构;焊垫则提供该结构较佳接地与散热效果。 |
申请公布号 |
CN101266959A |
申请公布日期 |
2008.09.17 |
申请号 |
CN200810081785.4 |
申请日期 |
2008.03.13 |
申请人 |
育霈科技股份有限公司 |
发明人 |
杨文焜;林殿方 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
1.一半导体装置封装结构,其特征在于,该半导体装置封装结构包含:一基材,包含贯通开口形成于内;其中该贯通开口以传导材质填充,以进行电性连接与散热;一传导焊垫形成于所述的基材一表面;一芯片,包含芯片焊垫,藉具高热传导性黏胶,贴合于所述的传导焊垫上;一导线,用以接合所述的传导金属焊垫与所述的芯片焊垫,用以保持电性连接;一保护层,覆盖所述的芯片、导线与部份传导焊垫;与一锡球设置于所述的焊垫上。 |
地址 |
台湾省新竹县 |