| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有增加的宽高比的图像传感器和制造图像传感器的方法。本发明公开一种具有相对大的工艺余量(甚至在高标准像素中)的图像传感器和用于制造图像传感器的方法，这可降低和/或消除在缩减图像传感器的规模中的限制。图像传感器可包括下述至少之一：包括第一转移晶体管的第一单位像素、包括第二驱动晶体管的第二单位像素和电连接第一单位像素的浮置扩散区域与第二单位像素的第二驱动晶体管的触点。一种制造图像传感器的方法包括以下至少之一：形成包括第一转移晶体管的第一单位像素；形成包括第二驱动晶体管的第二单位像素；以及形成电连接第一单位像素的浮置扩散区域与第二单位像素的第二驱动晶体管的触点。 | ||
| 申请公布号 | CN101266994A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810085723.0 | 申请日期 | 2008.03.13 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1、一种图像传感器，包含：第一单位像素，其包括第一转移晶体管；第二单位像素，其包括第二驱动晶体管；以及触点，用于电连接所述第一单位像素的浮置扩散区域与所述第二单位像素的所述第二区域晶体管。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||