半导体存储器件及其驱动方法以及便携式电子装置

摘要

一种用于驱动包含存储阵列的半导体存储器件的方法，此存储阵列具有多个排列成行和列的存储单元。各个存储单元包括经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的作为扩散区的源和漏、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元。此方法包含下列步骤：选择一个连接到待要选择的存储单元的栅电极的行线；将连接到待要选择的存储单元的源的第一列线接地；以及将第一电位施加到第二列线，同时将第二电位施加到第三列线。

主权项

1. 一种用于驱动包含存储阵列的半导体存储器件的方法，此存储阵列具有多个排列成行和列的存储单元，各个存储单元包括经由栅绝缘膜形成在半导体层上的单个栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区的导电类型相反的作为扩散区的源和漏、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，其中存储功能单元与位于存储功能单元下面的扩散区重叠大于10nm的距离，并且通过施加各电压到单个栅电极、源、漏和半导体层每个存储单元作为存储器工作，此方法包含下列步骤：选择一个连接到待要选择的存储单元的栅电极的行线；将连接到待要选择的存储单元的源的第一列线接地；以及将第一电位施加到第二列线，同时将第二电位施加到第三列线，其中，第二列线被连接到待要选择的存储单元的漏，而第三列线被连接到待要选择的存储单元邻近的存储单元的漏，同时，存储阵列中的其它行线被分隔于第二和第三列线，且第一电位由第一电路施加，第二电位由第二电路施加，第一电位有条件地使读出电流能够经由待要选择的存储单元流动，且此电流的值表示待要选择的存储单元的内容。