一种制备P型Zn0欧姆电极的方法

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备P型ZnO欧姆电极的方法。利用真空蒸发设备先在p型ZnO上蒸镀金属Ni，形成第一层Ni电极材料，然后蒸镀金属Au，形成第二层Au电极材料作为电极，接下来将制备的电极在氮气中低温下进行快速热退火。由于Ni和Au的功函数都较大，Ni又可以与Au等金属形成合金，在快速热退火中，金属Ni和Au之间以及金属与p型ZnO半导体材料表面薄层中的原子相互扩散，减小了金属与半导体界面的势垒高度，达到欧姆接触的目的。由于Ni与半导体的附着能力要比Au好，同时Ni可以减少金属与半导体接触时的“缩球”效应，尤其是经过退火后可以大大改善电极的欧姆特性；另外Au的化学稳定性较好，在Ni的上面蒸镀Au膜可以有效避免电极材料与外界环境直接接触而造成的电极特性退化，提高电极的稳定性和寿命。

主权项

1. 一种制备P型ZnO欧姆电极的方法，包括利用真空蒸发设备先在p型ZnO上蒸镀金属Ni，形成第一层Ni电极材料，然后蒸镀金属Au形成第二层Au电极材料，形成Ni和Au双层膜；接下来将制备的电极在氮气中低温下进行快速热退火，其特征是：(a)分别用丙酮、无水乙醇对p型ZnO片子进行超声清洗，清洗时间为5～10分钟，用去离子水冲洗后用干燥的N2吹干；(b)制作电极掩膜板，将p型ZnO片子固定在掩膜板上；(c)利用真空蒸发设备在低于6.6×10-3Pa的条件下蒸镀Ni，Ni的纯度至少为99.99％；(d)在Ni上蒸镀Au，Au的纯度至少为99.99％；(e)在氮气气氛中，温度低于500℃进行快速的热退火，热退火时间为150秒。