控制半导体装置栅极形成的方法

摘要

本发明提供一种控制半导体装置栅极形成的方法，包括测定在晶圆上隔离结构的阶差高度；使用阶差高度来决定阶差高度与过蚀刻时间之间的关连性；根据阶差高度来决定过蚀刻时间；以及用过蚀刻时间来蚀刻栅极。此方法更包括显影后检视步骤，以测定栅极轮廓并微调栅极形成控制。晶圆内非一致性可通过测定晶圆上阶差高度非一致性以及通过调整栅极制程而改善。本发明所述控制半导体装置栅极形成的方法，对于栅极形成控制，提供了一种简单且有经济效益的方法及系统，而在产品的生产量上不会有显著的减少。

主权项

1. 一种控制半导体装置栅极形成的方法，其特征在于，该控制半导体装置栅极形成的方法包括：测定在一晶圆上一隔离结构的一阶差高度，其中，该阶差高度为该隔离结构的上表面与该隔离结构相邻的主动区的上表面之间的高度差；使用阶差高度与过蚀刻时间之间的一关连性来决定一过蚀刻时间，以完成一期望栅极轮廓；使用决定的该过蚀刻时间来在该晶圆上蚀刻一栅极；在蚀刻该栅极后，测定该栅极的一轮廓；根据测定的该轮廓与该关连性以决定随后一晶圆的过蚀刻时间；以及决定该过蚀刻时间是根据该栅极轮廓自一期望栅极轮廓间的偏离而动态地调整。