薄膜电晶体与画素结构及其制造方法

摘要

本发明系有关于一种薄膜电晶体与画素结构及其制造方法，该方法系先提供一基板，形成一具有一主动区及一储存电容区之半导体层于该透光基板上，并于该半导体层上形成一源极及一汲极，接着于该源极、汲极及该半导体层上形成一隔离层，再于该隔离层上形成一闸极及一电容电极，该闸极及该电容电极分别设于与该主动区及该储存电容区之对应处上，并于该闸极、该电容电极及该隔离层上依序形成一介电层及一遮罩层，如此已形成一薄膜电晶体，接着于该遮罩层形成一开口图案进行蚀刻，进而形成一接触窗，最后形成一导电层于该遮罩层上，使得该汲极透过该接触窗与该导电层电性连接，如此经上述步骤形成一画素结构，而本发明之画素结构可增加其储存电容量，且不会降低开口率，又可防止该画素结构内之金属外漏，产生电性问题，另本发明只利用五道光罩制程即可形成画素结构。