沟槽式记忆体结构及操作

摘要

利用形成于渠沟中之介电电荷载流子捕获位点的记忆体单元提供资料之非挥发性储存。各种实施例之记忆体单元具有两个控制闸极。一控制闸极邻近于含有电荷载流子陷阱之渠沟而形成。另一控制闸极具有一形成于该渠沟上方之部分，且对于某些实施例而言，该控制闸极可延伸至该渠沟中。该等电荷载流子捕获位点可为一渠沟之一测壁上的离散形成物、一自一侧壁延伸至另一侧壁之连续层，或在侧壁之间延伸之插塞。