ＩＩＩ族氮化物化合物半导体元件及其制造方法，ＩＩＩ族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法，以及灯

摘要

本发明系一种III族氮化物化合物半导体元件及其制造方法，III族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法，以及灯，其中，本发明之III族氮化物化合物半导体元件系具备基板，和设置于前述基板上之中间层，和设置于前述中间层上，(0002)面的摇荡曲线半宽度为100arcsec以下，且(10-10)面的摇荡曲线半宽度为300arcsec以下之基底层，另外，本发明之III族氮化物化合物半导体元件之制造方法系具有以贱镀法形成前述中间层之工程。