半导体结构及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体结构及其制造方法，包含提供一基材，其具有一第一开口，此第一开口暴露出基材之侧壁；形成一环颈介电层及一第一导电层于第一开口内，环颈介电层覆盖侧壁之一部分以隔开基材与第一导电层；形成一第二导电层于环颈介电层及第一导电层上方，第二导电层系低于基材之上表面；形成一共形矽层于第二导电层上方；对第一开口施加具一倾斜角的氧布植，使共形矽层之一部分转变为一含氧矽层；并以含氧矽层为遮罩，蚀刻共形矽层及一部分之第二导电层、以形成一第二开口于第二导电层中。