一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法

摘要

本发明揭露一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法。其具体步骤为：晶圆经过光阻清洗液处理后，用含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液进行清洗，之后甩乾。该水溶性金属缓蚀剂可为聚羧酸类金属缓蚀剂。本发明方法利用金属保护液，在清洗步骤中阻止了等离子体电浆刻蚀过程中和环境中产生的卤离子、氧气、溴离子、氢氧根离子、Ｈ离子等对刻蚀后的金属腐蚀。