| 主权项 |
1.一种LSI装置研磨用研磨材料组成物,特征在于其系含有以水及偶联剂表面处理过之氧化铈的研磨材料组成物,而且在前述氧化铈之二次粒子尺寸分布中,最大値为5m以下,平均値为0.01-1.0m。2.如申请专利范围第1项之LSI装置研磨用研磨材料组成物,其特征在于前述氧化铈之一次结晶尺寸为0.005-0.5m。3.如申请专利范围第1项之LSI装置研磨用研磨材料组成物,其特征在于该研磨材料组成物之氧化铈浓度为0.01-10wt%。4.如申请专利范围第1项之LSI装置研磨用研磨材料组成物,其特征在于前述偶联剂系由矽烷系偶联剂、钛酸盐/酯系偶联剂、锆酸盐/酯系偶联剂、铝系偶联剂、磷酸盐/酯系偶联剂中所选出之至少一种以上的偶联剂。5.如申请专利范围第1项之LSI装置研磨用研磨材料组成物,其特征在于pH为2-11。6.如申请专利范围第1项之LSI装置研磨用研磨材料组成物,其特征在于pH为4-11,且将矽基板上之以CVD法分别形成的氮化矽膜以及二氧化矽膜,各自独立地以同一条件研磨时,相对于前者,后者之研磨速度的比为10以上。7.如申请专利范围第1项之LSI装置研磨用研磨材料组成物,其特征在于,将被研磨物之除去量除以研磨时间所得之値定义为研磨速度时,将同样地形成于矽基板上之被研磨物研磨10秒钟时之研磨速度为研磨60秒钟时之研磨速度的80-120%。8.如申请专利范围第1项之LSI装置研磨用研磨材料组成物,其特征在于,其中进一步含有1种或者2种以上之具有-COOH基、-COOMX基(MX系与H原子置换形成盐而得之原子或官能基)、-SO3H基和-SO3MY基(MY系与H原子置换形成盐而得之原子或官能基)之至少一者的水溶性有机化合物。9.如申请专利范围第8项之LSI装置研磨用研磨材料组成物,其特征在于,将矽基板上之以CVD法分别形成的氮化矽膜以及二氧化矽膜,各自独立地以同一条件研磨时,相对于前者,后者之研磨速度的比为50以上。10.一种LSI装置研磨方法,系包含使用含有以水及偶联剂表面处理过之氧化铈,而且在前述氧化铈之二次粒子尺寸分布中,最大値为5m以下,平均値为0.01-1.0m之研磨材料组成物和树脂粒研磨垫片,以研磨LSI装置之研磨步骤。11.如申请专利范围第10项之LSI装置研磨方法,其特征在于前述氧化铈之一次结晶尺寸为0.005-0.5m。12.如申请专利范围第10项之LSI装置研磨方法,其特征在于该研磨材料组成物之氧化铈浓度为0.01-10wt%。13.如申请专利范围第10项之LSI装置研磨方法,其特征在于前述偶联剂系由矽烷系偶联剂、钛酸盐/酯系偶联剂、锆酸盐/酯系偶联剂、铝系偶联剂、磷酸盐/酯系偶联剂中所选出之至少一种以上的偶联剂。14.如申请专利范围第10项之LSI装置研磨方法,其中前述组成物之pH为2-11。15.如申请专利范围第10项之LSI装置研磨方法,其特征在于该LSI装置系于矽基板上具有以CVD法形成之氮化矽膜,进一步于其上具有以CVD法形成之二氧化矽膜,并使用前述之研磨材料组成物研磨前述二氧化矽膜,且前述组成物之pH为4-11,并且包含使用前述氮化矽膜作为制动之步骤,而相对于该氮化矽膜之该二氧化矽膜的研磨速度之比为10以上。16.如申请专利范围第10项之LSI装置研磨方法,其特征在于,将被研磨物之除去量除以研磨时间所得之値定义为研磨速度时,将同样地形成于矽基板上之被研磨物研磨10秒钟时之研磨速度为研磨60秒钟时之研磨速度的80-120%。17.如申请专利范围第10项之LSI装置研磨方法,其特征在于,前述组成物进一步含有1种或者2种以上之具有-COOH基、-COOMX基(MX系与H原子置换形成盐而得之原子或官能基)、-SO3H基和-SO3MY基(MY系与H原子置换形成盐而得之原子或官能基)之至少一者的水溶性有机化合物。18.如申请专利范围第17项之LSI装置研磨方法,其特征在于,该LSI装置于矽基板上具有以CVD法形成之氮化矽膜,进一步于其上具有以CVD法形成之二氧化矽膜,并使用前述之研磨材料组成物研磨前述二氧化矽膜,而且包含使用前述氮化矽膜作为制动之步骤,而相对于该氮化矽膜之该二氧化矽膜的研磨速度之比为50以上。 |
