| 摘要 |
一种在半导体制造过程中分离多晶片的方法。在一含有多重晶片的半导体晶圆上表面上，除了停止电镀材料所在的区块处之外，到处皆有金属层沉积。该停止电镀材料被消除，且一障壁层在剩余的全部构造上形成。将一牺牲金属元件添加在该障壁层上方，接着移除该基板。在除去介于个别晶片之间的半导体材料后，将任何想要的黏合垫和图案化的电路添加在与牺牲金属元件相对的半导体表面上，再将一钝化层添加到该表面上，接着移除该牺牲金属元件。将胶带添加到当时露出的该障壁层上，移除该钝化层，翻转最后的构造，且扩张该胶带以分离个别的晶片。 |
