发明名称 |
原子层沈积技术 |
摘要 |
本发明揭露一种原子层沈积技术。在一个特定例示性实施例中,可藉由用于原子层沈积之装置来实现此技术。所述装置可包括一处理腔室,其具有一用以固持至少一个基板之基板平台。所述装置亦可包括一前驱物质之供应源,其中前驱物质包括至少一种第一种类之原子以及至少一种第二种类之原子,且其中供应源提供前驱物质以使至少一个基板之表面饱和。所述装置可更包括至少一种第三种类之介稳态原子之电浆源,其中介稳态原子能够自至少一个基板之饱和表面脱附至少一种第二种类之原子以形成至少一种第一种类之一或多个原子层。 |
申请公布号 |
TW200837212 |
申请公布日期 |
2008.09.16 |
申请号 |
TW096107981 |
申请日期 |
2007.03.08 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司;东北大学 |
发明人 |
辛区 维克拉姆;波辛 哈勒德M;温德 艾德蒙德J;后普沃德 杰弗里;雷诺 安东尼 |
分类号 |
C23C16/42(2006.01);C23C16/455(2006.01);C30B25/16(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/42(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
主权项 |
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地址 |
美国 |