| 主权项 |
1.一种形成一半导体装置之方法,包括有:于一矽半导体底材之一顶部表面,形成介电质、绝缘结构,该绝缘结构区隔该底材成为一双载子区域、一负金氧半导体区域及一正金氧半导体区域;于该矽半导体底材之顶部表面上,形成一薄矽氧化层,覆接该绝缘结构;形成一导电多晶矽层,覆接该薄矽氧化层;罩幕该底材之负金氧半导体区及正金氧半导体区,利用一于该底材之双载子区域上,具有一开口之双载子罩幕为之;通过该双载子罩幕之开口离子植入双载手掺质进入该导电多晶矽层于该底材之双载子区域上之一部位;卸下该双载子罩幕;退火包括该薄矽氧化层之底材,及该多晶矽层,以驱动该掺质进入该底材中,该双载子区域之一双载子区;及于该底材之双载子区域中,形成掺质源极/汲极区,及一双载子基极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该退火为快速热退火。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽氧化物包括闸极氧化物,具有一厚度约5埃至40埃。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该退火为快速热退火,及该矽氧化物包含闸极氧化物,具有一厚度约5埃至40埃。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘结构为沟渠,形成于该底材中,并充填矽氧化介电质。6.一种形成一半导体装置之方法,包括有:于一半导体底材之一顶部表形成介电质、绝缘结构,区隔该底材成为一插塞区域、一射极区域、一负金氧半导体区域及一正金氧半导体区域,与该射极区域并列之该插塞区域位于该射极区域远离该负金氧半导体区域及该正金氧半导体区域之一边;于该底材距离表面深处之该插塞区域及射极区域中,形成用于一双载子电晶体之一嵌入掺质层;于该插塞区域中形成一集极插塞区,自该底材之表面,向下延伸到达该嵌入掺质层;于该矽半导体底材之顶部表面上,形成一闸极氧化层,覆接该绝缘结构;形成一导电多晶矽层,覆接该薄矽氧化层;于该射极区域之该表面下方,形成一轻微逆掺质区;罩幕该底材之负金氧半导体区及正金氧半导体区,利用一于该底材之射极区域上,具有一开口之射极罩幕为之;通过该射极罩幕之开口离子植入射极掺质进入该导电多晶矽属于该底材之射极区域上之一部位;卸下该射极罩幕;互补式金氧半导体闸极于该负金氧半导体区及正金氧半导体区上,自该导电多晶矽层图案成形一射极导体于该射极区域上;退火包括该薄矽氧化层之底材,及该多晶矽层,以驱动该掺质进入该底材中,该射极区域之一封极区,并自动对准;及于该负金氧半导体区域及正金氧半导体区域中,形成掺质之源极/汲极区,及形成一基极区,邻接该底材之该射极区域中之该射极区。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该退火为快速热退火。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该闸极氧化物具有一厚度,约5埃至40埃。9.如申请专利范围第6项之方法,其中该退火为快速热退火,及该闸极氧化物具有一厚度,约5埃至40埃。10.如申请专利范围第6项之方法,其中该绝缘结构为沟渠,形成于该底材中,并充填矽氧化介电质。11.一种半导体装置,包括有:介电质、绝缘结构,形成于一矽半导体底材之一顶部表面,区隔该底材成为双载子区域、负金氧半导体区域及正金氧半导体区域;一薄矽氧化层,覆接该矽半导体底材之顶部表面上之该绝缘结构;一导电多晶矽层,覆接该薄砂氧化层;双载子掺质离子,于该底材之双载子区域上,被植入该导电多晶矽双载子层之一部位;掺质,已经藉由退火将之从该多晶矽双载子层,驱动进入包括该薄氧化层之该底材,藉此掺质该底材之双载子区域中之该双载子区;掺质之源极/汲极区,形成于该底材之负金氧半导体区域及正金氧半导体区域;及一双载子基极,形成于该底材之双载子区域中。12.如申请专利范围第11项之装置,其中该退火为快速热退火。13.如申请专利范围第11项之装置,其中该矽氧化物包含闸极氧化物,具有一厚度约5埃至40埃。14.如申请专利范围第11项之装置,其中该退火为快速热退火,及该矽氧化物包含闸极氧化物,具有一厚度约5埃至40埃。15.如申请专利范围第11项之装置,其中该绝缘结构为沟渠,形成于该底材中,并充填矽氧化介电质。16.一种半导体装置,包括有:介电质、绝缘结构,形成于一矽半导体底材之一顶部表面,区隔该底材成为一插塞区域、一射极区域、一负金氧半导体区域及一正金氧半导体区域,与该射极区域并列之该插塞区域,位于该射极区域远离该负金氧半导体区域及该正金氧半导体区域之一边;一嵌入掺质层,用于该底材距离表面深处之该插塞区域及射极区域中之一双载子电晶体;一集极插塞区,于该插塞区域中,自该底材之表面,向下延伸到达该嵌入掺质层;一闸极氧化层,覆接该矽半导体底材之顶部表面上之该绝缘结构;一导电多晶矽层,覆接该薄矽氧化层互补式金氧半导体闸极于该负金氧半导体区及正金氧半导体区上,自该导电多晶矽层形成一射极导体于该射极区上;一轻微逆掺质区,形成于该射极区域之该表面下方;射极掺质,于该底材之射极区域上,已经被离子植入至该导电多晶矽层之一部位;该底材,包括该薄砂氧化层,及其中之掺质,藉由退火,驱动该掺质自该多晶矽层进入该底材中,该射极区域之一射极区;掺质之源极/汲极区,形成于该底材之该负金氧半导体区域及正金氧半导体区域中;及一基极,形成于该底材之该射极区域中。17.如申请专利范围第16项之装置,其中该退火为快速热退火。18.如申请专利范围第16项之装置,其中该闸极氧化物具有一厚度,约5埃至40埃。19.如申请专利范围第16项之装置,其中该退火为快速热退火,及该闸极氧化物具有一厚度,约5埃至40埃。20.如申请专利范围第16项之装置,其中该绝缘结构为沟渠,形成于该底材中,并充填矽氧化介电质。图式简单说明:第一图至第十二图系为依据本发明,而显示该制程之不同阶段中,一半导体装置之一部分之一断面正视图。第十三图系为本发明显示该半导体装置之一部份之一断面正视图。 |
