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发明名称
电容器的制作方法
摘要
一种电容器的制作方法,此方法是先提供基底。然后,于基底上依序形成经掺杂的第一介电层以及未经掺杂的第二介电层。之后,于第一介电层以及第二介电层中形成多个沟渠。接着,对相邻两沟渠之间的最大间隔处进行离子植入制程,以于沟渠之上部的部分第二介电层中形成植入区域。然后,进行湿式蚀刻制程,以移除位于植入区域的部分第二介电层以及位于沟渠底部的部分第一介电层。接着,于沟渠表面依序形成第一导体层以及电容介电层。之后,于沟渠中形成第二导体层。
申请公布号
TW200837888
申请公布日期
2008.09.16
申请号
TW096107137
申请日期
2007.03.02
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
李政哲;庄慧伶;叶星吾
分类号
H01L21/8242(2006.01)
主分类号
H01L21/8242(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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