回流处理方法及ＴＦＴ之制造方法

摘要

本发明是提供能够确保回流处理的精度，并达到节省光阻剂以及削减步骤数之回流处理方法及薄膜电晶体(TFT)之制造方法。该回流处理方法系藉由以相对于配线用光阻遮罩231每单位长度的体积V#sB!2#eB!，源极电极用光阻遮罩210(汲极电极用光阻遮罩211)每单位长度的体积V#sB!1#eB!为1.5~3倍的方式，设定线宽W#sB!1#eB!及W#sB!2#eB!，确保源极电极用光阻遮罩210(汲极电极用光阻遮罩211)变形所获得之变形光阻剂212的线宽W#sB!3#eB!有足够的宽度来包覆凹部220，并且小幅抑制配线用光阻遮罩231变形所获得之变形光阻剂232的线宽W#sB!4#eB!。